ناموجود







اس اس دی اینترنال M.2 NVMe سامسونگ مدل Samsung 990 EVO Plus با ظرفیت 1 ترابایت، گزینهای پیشرفته برای کاربرانی است که به دنبال عملکرد بالا، سرعت بالا و دوام طولانی هستند. این مدل مناسب برای گیمرها، طراحان گرافیک، کاربران حرفهای و کسانی است که به انتقال سریع داده و بارگذاری سریع سیستمعامل نیاز دارند.
رابط و فرم فاکتور
این محصول با فرم فاکتور M.2 2280 طراحی شده و از رابط PCIe 4.0 x4 پشتیبانی میکند. همچنین با PCIe 5.0 x2 نیز سازگار است و از پروتکل NVMe 2.0 بهره میبرد.
سرعت و عملکرد
سرعت خواندن ترتیبی این SSD تا 7150 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی تا 6300 مگابایت بر ثانیه است. این ویژگیها آن را به گزینهای مناسب برای اجرای بازیهای سنگین، نرمافزارهای حرفهای و انتقال فایلهای حجیم تبدیل میکند.
فناوریهای بهکاررفته
سامسونگ در این مدل از فناوریهای پیشرفتهای مانند TurboWrite 2.0 برای افزایش سرعت نوشتن و HMB (Host Memory Buffer) برای بهبود عملکرد کلی استفاده کرده است. این فناوریها باعث میشوند عملکرد SSD در شرایط کاری مختلف ثابت و سریع باقی بماند.
طول عمر و پایداری
Samsung 990 EVO Plus دارای 600 ترابایت نوشتار مجاز (TBW) و میانگین عمر 1,500,000 ساعت (MTBF) است که نشاندهنده دوام و پایداری بالای این محصول در استفاده طولانیمدت است.
امنیت و قابلیتهای نرمافزاری
این محصول از رمزگذاری سختافزاری AES 256-bit پشتیبانی میکند و به فناوریهای TRIM و S.M.A.R.T مجهز است. همچنین از طریق نرمافزار Samsung Magician میتوان وضعیت درایو را بررسی، فریمویر را بهروز و عملکرد آن را بهینه کرد.
جمعبندی
اگر بهدنبال یک SSD با کارایی بالا، سرعت عالی و طول عمر بالا هستید، Samsung 990 EVO Plus 1TB یکی از بهترین گزینهها در رده خود است. طراحی بهینه، فناوریهای پیشرفته و پشتیبانی نرمافزاری قدرتمند، این محصول را به انتخابی مطمئن برای ارتقاء سیستم تبدیل کرده است.
وزن | 0.059 کیلوگرم |
---|---|
گارانتی |
اصلی (سازگار، حامی، آواژنگ، الماس، لایف و…) |
نوع کاربری |
اینترنال |
فرم فاکتور |
M.2 2280 |
هیت سینک |
ندارد |
ورژن NVMe |
2.0 |
دمای حین کارکرد |
0 تا 70 درجه سانتی گراد |
رابط اتصال |
PCIe x2 Gen 5.0 |
مصرف برق در حالت کار |
4.9 وات |
WWN |
ندارد |
پشتیبانی S.M.A.R.T |
دارد |
پشتیبانی از TRIM |
دارد |
حافظه کش (Cache) |
HMB (Host Memory Buffer) |
درگاه اتصال |
M.2 NVMe |
کنترلر |
Samsung In-house |
عمر نوشتاری (TBW) |
600 ترابایت |
میانگین عمر (MTBF) |
1500000 |
نوع فلش |
TLC |
قابلیت رمز نگاری |
AES 256 bit |
مقاوم در برابر |
شوک |
ظرفیت |
1 ترابایت |
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
800000 IOPS |
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
680000 IOPS |
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
4200 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
5000 مگابایت بر ثانیه |
ابعاد |
2.38 × 22 × 80 میلی متر |
محصولات پیشنهادی
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.